14 страниц

304.00 ₽

Купить ГОСТ 17465-80 — бумажный документ с голограммой и синими печатями. подробнее

Распространяем нормативную документацию с 1999 года. Пробиваем чеки, платим налоги, принимаем к оплате все законные формы платежей без дополнительных процентов. Наши клиенты защищены Законом. ООО "ЦНТИ Нормоконтроль"

Наши цены ниже, чем в других местах, потому что мы работаем напрямую с поставщиками документов.

Способы доставки

Срочная курьерская доставка (1-3 дня)
Курьерская доставка (7 дней)
Самовывоз из московского офиса
Почта РФ

‹ › ×

Распространяется на вновь разрабатываемые и модернизируемые полупроводниковые диоды, выпрямительные (кроме диодов Шоттки), импульсные, стабилитроны (стабисторы), варикапы, диоды СВЧ, выпрямительные столбы и импульсные диодные матрицы (сборки)

Скачать PDF

Заменяет часть ГОСТ 17465-72 в части пп. 1 - 12, 16 - 22

Дата введения	01.01.1982
Добавлен в базу	01.09.2013
Актуализация	01.01.2021

28.08.1980	Утвержден	Госстандарт СССР	4471

ГОСТ

17465—80

Взамен ГОСТ 16963-71 и ГОСТ 17465-72 ■ части пп. 1—12, 16—22

Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 28 августа 1980 г. № 4471 срок введения установлен

с 01.01.82

Несоблюдение стандарта преследуется по закону

1. Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые и модернизируемые полупроводниковые диоды: выпрямительные (кроме диодов Шоттки), импульсные, стабилитроны (ста-бисторы), варикапы, диоды СВЧ, выпрямительные столбы и импульсные диодные матрицы (сборки).

Стандарт устанавливает ряды и допускаемые сочетания значений основных параметров, которые в табл. 1—17, отмечены знаком « + ».

Допускаемые сочетания, отмеченные знаком «X» в табл. 1 —11, 15—17, предназначены для применения в устройствах специального назначения.

Приведенные в стандарте числовые значения параметров установлены для нормальных климатических условий по ГОСТ 16962-71.

Пояснения к терминам приведены в справочном приложении.

2. Основные параметры выпрямительных диодов.

Издание официальное ★

2.1. Допускаемые сочетания значений основных параметров выпрямительных диодов должны соответствовать указанным в табл. 1.

Перепечатка воспрещена

Переиздание. Сентябрь 1983 г.

Таблица 1

Постоянный прямой или средний прямой ток. А	Постоя! нос обратное напряжение. В
Постоянный прямой или средний прямой ток. А	100	200	400	ьоо	800	кюо	1500
0,10			4	4	Л-	4	4-
0.30	_1_	+	X	4-	X	4-	X
0,50	4	4*	4-	Л-	4	4-	4-
0,70	4	4-	4"	4	4“	4-	■4
1,00	л.	4-	X	4	X	4	X
3,00	4	4-	4	4	4	4-	4-
5,00	4	4-	X	4	X	4-	X
7,00	4-	4	Л-	4	4	4-	4
10,00	X	X	X	4	X	4-	X

2.2 Значение предельной рабочей частоты должно выбираться из ряда: 1; 5; 10; 20; 50; 100; 200; 500 кГц.

2.3. Значение мощности импульсных перегрузок по обратному току для выпрямительных диодов должно выбираться из ряда: 200;' 1 000; 2 000; 5 000; 20 000; 50 000 Вт.

3. Основные параметры выпрямительных столбов 3 1. Допускаемые сочетания значений основных параметров выпрямительных столбов должны соответствовать указанным в табл 2.

Таблица 2

Постоянный прямой или средний прямой ток. мА	Импульсное обратное или постоянное обратное напряжение, кВ
Постоянный прямой или средний прямой ток. мА	2	4	6	8	ю	15	20
10	4-	4-	X	4-	X	4	X
30	4~	4-	4-	4-	4~	4	4
100	X	4-	X	4-	X	4-	X
300	4-	4	4	4-	4-	4	4
500	X	4-	X	4-	X	4	X
1000	4-	4-	X	4-	X	4-	4

3.2. Максимальное значение частоты выпрямления выпрямительных столбов должно выбираться из ряда:' 1; 5; 10; 20; 50; 100; 200; 500 кГц.

ГОСТ 17465-80 Стр. 3

4. Основные параметры импульсных диодов

4.1. Допускаемые сочетания значений основных параметров импульсных диодов должны соответствовать указанным в табл. 3.

Таблица 3

Средним прямой ток. мА	Время восстановления обратного сопротивления, нс
Средним прямой ток. мА	0.20	0.50	1.00	4.00	10.00	40.00	100.1)0	400.00	1000.00
2	X	4-	4-	О.	+	4-	-к	4-	4-
о	4*	+	4-	4-	4-	4-	4-	4-	4-
10	X	*1"	4-	4-	4-	4-	4-	4-	4-
20	4"	4"	4-	4-	4-	4-	4-	4-	4“
50	X	X	+	4-	4-	4-	4-	4-	4-
100	4-	4-	4-	4-	4*	4-	4-	4-	4*
200	X	+	4-	4-	4-	4-	1 *1	4-	4-
500	4-	4-	4-	4-	4-	4-	4-	4-	4-

Примечание Приборы с большим быстродействием характер!! )уются временем жизни неравновесных носителей заряда, которое выбирается из ряда: 0,01; 0,02; 0,05; 0,10 нс.

4.2. Значение постоянного обратного напряжения импульсных диодов должно выбираться из ряда: 3; 5; 10; 20; 30; 50; 100; 200 В.

5. Допускаемые сочетания значений основных параметров стабилитронов (стабисторов) общего назначения должны соответствовать указанным в табл. 4.

Таблица 4

Допускаемая

Номинальное напряжение стабилизации, В

рассеиваемая МОЩНОСТЬ, Вт	0.7	1.4	1.9	2.1	2.4	2.7	3.0	3.3	3.6	3.9	4.3	4,7	5.1	5.е>
0,020	4-	4-	4-	4-	4-	4-	4-	4-	-f	4-	4-	+	4-	4-
0,050	4-	4*	4-	4-	4-	4-	4-	4*	4-	4-	4-	4-	+	4-
0,125	4-	4-	4-	4-	4-	4-	4-	4-	-f	4-	4-	4-	4-	4-
0.300	4-	4-		X	-Ь	4-	4-	4-	+	X	4-	4-	4-	4-
1,000	-}-	4-	4-	4-	4-	4-	4-	л.	4-	4-	4-	4-	4-	4-
2,000	4-	4-	4-	4-	+	4-	4-	4-	4-	4-	4-	4-	4*	4-
5,000	4*	X	4-	4-	+	4*	4-	4-	4“	4-	4-	4-	X	4-
10,000	X	4-	4-	1 т	4-	4-	4-	4-	4-	4*	4-	4-	+	4-

Продолжение табл. 4

Допускаемая pacecHB.icujM				Номинальное напряжение					стабилизации. В
МОЩНО! 1 ь.
Вт	<>,2	ЬА	7.5	8.2	<и	ш.о	U.0	12.0	13.0	15.0	16.0	18.0	20.0	22.0
0,020	4	4	4-	4-	4-	4-	4-	1х	4-	и	+	4-	4-	X
0,050	4	4	4	4	4-	4-	4-	4-	4-	+	+	4-	4-	л.
0,125	4	4	4	4-	4-	4-	4-	4-	4-	X	4-	4-	4-	4-
0,300	+	X	+	4-	4-	4-	4-	4-	4-	4-	4-	4-	4-	X
1,000	4	+	4	4-	X	4-	4-	X	4-	4*	4-	4-	4-	4
2,000	4	+	4-	4-	4-	4-	4-	4-	4-	4-	4-	4-	4-	4
5,000	4	4	4-	4-	4-	4-	4-	4-	4-	4-	4-	4-	4-	X
10,000	4	4	4-	4-	X 1	4- 1	4-	X	4-	4-	-г		-i-	л. .

Примечания

1. Значения номинального напряжения стабилизации более 22 В выбирают умножением ряда напряжений от 2,4 до 22 В на 10 и 100.

2. Допускаемое отклонение номинального напряжения стабилизации должно соответствовать значениям: ±5; ±10%.

6. Допускаемые сочетания значений основных параметров прецизионных стабилитронов должны соответствовать указанным в табл. 5.

Таблица 5

Температурный коэффициент напряжения стабилизации	Значение временной нестабильности напряжения стабилизации. %
Температурный коэффициент напряжения стабилизации	0.0005	0.0010	0.0020	0.0050	0.0100	0.0200	0.0500
0.0002	X	4-	4-
0,0005	4-	4-	4-	4-	4-	4-	4
0,0010	X	4-	4-	4-	4-	4-	4
0,0020	4-	4-	4-	4-	4-	4-	4
0,0050		X	4-	X	4-	-j-	4

7. Основные параметры варикапов

7.1. Допускаемые сочетания значений основных параметров варикапов при обратном напряжении б В должны соответствовать указанным в табл. 6.

ГОСТ 17465-80 Стр. 5

Таблица б

Добротность

Номинальная

СМКость. пФ

50 МГц

1.0

1.2

1.5

1.8

2.7

ЗД

3.9

4.7

5.G

0.8

8.2

100

200

400

600

800

1000

1200

1400

1600

1800

2000

2200

⁺

_1_

•t*

Допускаемое отклонение емкости Должно быть в пределах ±20% номинального значения.

7.2. Допускаемые сочетания значений основных параметров подстроечных варикапов при обратном Напряжении 4 В должны соответствовать указанным в табл. 7 и 8.

Таблица 7

Добротность	Номинальная емк_0СТЬ\|пф
на частоте
50 МГц
	10	12	15	18	22	2?	33	39	47	56
150	4	4	4	4	4	4	4	4	4	4
200	4	4	4	4	4	4	4	X	4	4
250	4	4	4	4-	X	4	4	4	4	X
300	4	4	X	4	4	4	4	4	4	4
400	X	+	4	4	4	4	4	4	4
500	4	4	4	4	4	4	4	4	4
600	4	4	4	4	4	4	4	4	4
700	4-	4	4	4	4	4	4	4
800	4	4	4	4	4	4	4
900	4	+	4	4	4	+
1000	+	4	4	4	4-

Допускаемое отклонение емкости должно быть в пределах ±20% номинального значения.

8 Допускаемые сочетания значений основных параметров настроечных СВЧ Диодов должны соответствовать указанным & табл. 9.

Таблица 9

Доброт-			Номинальная емкость при обратном									напряжении			минус 6		В, пФ
частоте																\|
1 ГГц	0.08	0.10	0,15	0,20	0.25	0.34	0.45	0.GC	0.8С	1.21	) 1.84	2.24	2.7С	3.30 3.9<		)4.7<	5.6С	6.8(	8.20
20																4-		4-	4-
30														4-	+	4-	4-	4-	4-
40												4-	4-	4-	4-	4-	4-	4-	4-
50											4-	4*	4-	4-	/4-	4-	4- /	4-	J-f
60										4-	+	4-	4- I	4-	4-	4-	4-	4-	4-
70									4-	4-	4-	4-	4-	4-	4-	4-	-г	4-	4-
80								1 ТГ	4-	4-	4-	4-	4-	4-	4-	4-	4-	4-	4-
100							4-	4-	4-	4-	4-	4-	4-	4-	4-	4-	4-	4-	4-
120						4-	4-	4-	4-	4-	4-	4-	4-	4-	•4-	4-	4-	4-	X
140					4-	4-	4-	4-	4-	4-	4-	4-	4-	4-	4-	4-	4-	4-	4-
180				4-	4-	4-	4-	4-	4-	4-	Л-	4-	4-	4-	4-	4-	X
220			+	4-	4-	4*	4-	4-	4-	4-	I 4-	4-	4-	4-	X
260		4*	+	4-	4-	4*	4-	4-	4-	4-	4-	X	4-
300	+	4-	Л- 1	4-	4-	4-	4-	4г	4-	4-	4*
400	+	+	4-	4-	4-	4-	4-	4-	4-	X
500	+	4-	4-	4-	4-	4-	4-	+	4-
600	+	+	4-	+	4-	4-	4-	X
700	+	-1-	4-	-t-	4-	“Г
800	+	4-	-1-	4-	4“	4-
1000	+	4-	X	4*	X
1200	4-	+	4"	4-
1400	X	+	4~	4-

Примечание. Допускаемый разброс номинальной емкости диода выбирается из ряда: ±5; 4:10; ±20%.

ГОСТ 17465-80 Стр. 7

9. Основные параметры смесительных СВЧ диодов

9.1. Допускаемые сочетания значений основных параметров смесительных СВЧ диодов должны соответствовать указанным в табл. 10.

Таблица 10

Нормированный коэффициент шума, дБ. на промежуточной частоте 30 МГц		Длин.) волны		намерения.	см
	0.1	0.2	04	0.8	2.0	3.2
4,5	4	4-	X	X	4	X
5,0	X	X	4-	4-	X	4-
5,5	4	-Г	4-	4	4-	4-
6,0	4	4-	4-	4	4-	-f
6,5	4-	4-	4-		4-	4-
7,0	4-	4-	4-	4	4	4-
7,5	4	4-	4-	л_	4
8,0	4-	4-	4-	4
9,0	4-	4-	4-
10,0	4-	4-	4-
11,0	+	4-
12,0	4-	4*
14,0	4-
16,0	4-

9.2. Минимальная энергия выгорания должна выбираться из ряда: 0,10; 0,25; 0,50; 1,0; 2,5; 5,0; 10,0; 15,0; 20 эрг.

10. Основные параметры детекторных СВЧ диодов

10.1. Допускаемые сочетания значений основных параметров детекторных СВЧ диодов должны соответствовать указанным в'табл. 11.

Таблица 11

Тангенциальная чувствительность. дБ • мВт		Длина волны		измерения,	см
Тангенциальная чувствительность. дБ • мВт	0.1	0.2	0.4	0.8	2.0	3.2
44	X
46	4-	4-	X
48	4-	4-	4
50	4-	4	4	1 “Г
52	4	4	4	4	X
54	4-	4	4	4	4
56	4-	4	4	4	4	4
58	4-		4	4	4	X
60	4	Т	4	4	4	4
62	4-	4	4	4	4	4

Стр. 8 ГОСТ 17465-80

10.2. Минимальная импульсная СВЧ рассеиваемая мощность должна выбираться из ряда: 0,025; 0,05; 0,10; 0,25; 0,5; 1,0; 2,5; 5 Вт.

11. Основные параметры параметрических СВЧ диодов

11.1. Допускаемые сочетания значений основных параметров параметрических диодов должны соответствовать указанным в табл. 12.

Таблица 12
Постоянная времени при напряжении	Емкость перехода при напряженки
смещения минус 2 В, ис	смещения 0. пФ
0,10*	0,01—0,015*
0,12	0,01—0,04
0,16	0,01—0.06
0,20	0,01—0,30
0.25*	0,01—0,40*
0,30	0,01—0,50
0,40	0,01—0,60
0,50*	0,01-0,70*
0,60	0,01—0,80
0.80	0,04—0,80
1,00	0,10—1,00
^¥ Предназначены для применения в	устройствах специального назначения.

Примечание. Допускаемый разброс емкости перехода диода одного типа выбирается из ряда: ,±5; ±10; ±20; ±50; ±100%.

11.2. Значение постоянного обратного напряжения при нормированном токе параметрических СВЧ диодов должно выбираться из ряда: 4; 6; 8; 10; 12; 15; 20; 25; 30; 40; 50; 60 В.

12. Основные параметры СВЧ умножительных диодов

12.1. Допускаемые сочетания значений основных параметров умножительных СВЧ диодов должны соответствовать указанным в табл. 13.

Таблица 13

Допускаемая рассеиваемая МОЩНОСТЬ, Вт	•Емкость перехода при напряжении смещения минус 6 В. пФ	Допускаемая рассеиваемая мощность, Вт	Емкость перехода при напряжении смещения минус 6 В, пФ
0,010*	0,03-0,05*	0,250*	0,10—1,25*
0,016	0,04—0,06	0,400	0,12—2,00
0,025	0,05—0,08	0,500	0.12-2,20
0,040	0,06—0.12	0,600	0,15—2.50
0,060	0,08-0,20	0,800	0,15—3,20
0,100	0,10-0.30	1,000*	0,20-4,00*
0,160	0,10-0,60

ГОСТ 17465-80 Стр. 9

Продолжение /аил. /3

Допускаемая рас-c.-и вас мая мощность, Вт	Емкость перехода при напряжении смещения мин)с 0 В. j пФ	Допускаемая рассеиваемая МОЩНОСТЬ, Вг	Пчкость перехода при напряжении смещения минус 0 В. пФ
2,000	0.50—6,00	8,000	3,00— 8.00
3.000	1,00—8,00	10,000	4,00—10,00
4.000	1,25—8.00	16,000	5,00—10.00
5,000*	1,60—8,00*	25,000	6.00—10.00
6,000	2,00-8.00	40,000*	8,00—10,00*

* Предназначены для применения и устройствах специального назначения.

Примечал и е. Допускаемый разброс емкости перехода диода одного тина выбирается из ряда: ±5; ±10; ±20; ±50; ±100%.

12.2. Значение предельной частоты умножительных СВЧ диодов выбирается из ряда: 40; 60; 100; 150; 200; 250; 320; 400; 500; 600; 700; 800; 1000; 1200; 1500; 2000; 2500; 3000 ГГц.

13. Основные параметры ограничительных СВЧ диодов

13.1. Допускаемые сочетания значений основных параметров ограничительных СВЧ диодов должны соответствовать указанным в табл. 14.

Таблица 14

Накопленный заряд. нКл	Емкость структуры, а*	[Накопленный заряд. II Кл	Емкость структуры. пФ
0.1*	0.01—0,1*	10,0	0,20— 6,00
0,3	0,01—0.2	15,0	0,40—10.00
0,5	0,05—0.3	20,0	1,00-10,00
1.0	0,10—0,60	25,0	1,60—10,00
3,0	0,10-1,60	30.0¹	2,50-10,00*
5.0*	0,10—4,00*

* Предназначены для применения в устройствах специального назначения.

13.2. Допускаемая рассеиваемая мощность ограничительных СВЧ диодов должна выбираться из следующего ряда: 0,1; 0,15;

0,25; 0,40; 0,60; 1,0; 1,5; 2.5 Вт.

14. Основные параметры переключательных СВЧ диодов

14.1. Допускаемые сочетания основных параметров СВЧ переключательных диодов должны соответствовать указанным в табл. 15.

ГОСТ 17465-80
Диоды полупроводниковые. Основные параметры

Способы доставки

Оглавление

Этот ГОСТ находится в:

Организации:

Semiconductor devices. Diodes and thyristors. Basic parameters

ГОСТ 17465-80Диоды полупроводниковые. Основные параметры

Способы доставки

Оглавление

Этот ГОСТ находится в:

Организации:

Semiconductor devices. Diodes and thyristors. Basic parameters

ГОСТ

17465—80

ГОСТ 17465-80
Диоды полупроводниковые. Основные параметры